21世紀經濟報道記者駱軼琪 廣州報道
在上游存儲原廠（顆粒供應商）的持續減產拉動下，存儲市場漲價已經成為事實性趨勢，產業鏈公司也在陸續擺脫虧損泥淖。
SK海力士已經率先實現季度扭虧。
1月24日，SK海力士發布2023年第四季度財報顯示，公司在此前連續四個季度虧損后，該財季迎來首次盈利至0.346萬億韓元，經營利潤率至3.06%。
（SK海力士多個單季度毛利率和凈利率表現，圖源：SK海力士）
“現在不存在博弈，存儲價格已經在漲。一些嵌入式內存產品的價格都快接近翻倍。”一名存儲行業從業者對21世紀經濟報道記者表示，只是他還有所顧慮，在全球消費趨勢還沒有明顯改變環境下，這種漲幅能維持多久或許有待觀察。“不過一季度肯定是在上漲，價格變動已經很明顯。”
在半導體行業眾多細分市場中，存儲器由于占比較大，在2023年跌幅較多，也被多數第三方機構認為，會是拉動半導體行業復蘇回升的主要驅動力之一。
不同于過去半年來存儲器的漲價最初源自于上游原廠的減產拉動，目前隨著AI相關應用加速普及，也將為存儲市場帶來進一步回溫動力。
群智咨詢（Sigmaintell）半導體事業部資深分析師王旭東對21世紀經濟報道記者表示，歷年來全球存儲市場營收占全球半導體市場營收的比重達20%左右，“根據群智咨詢測算，2023年存儲市場營收占全球半導體營收比重約18%。存儲在2023年受到價格下跌和庫存調整的影響，經歷了較大跌幅，2023年存儲市場營收同比下降約35%。隨著AI大模型興起，對存儲的傳輸速度、數據存儲容量提出了更高要求，也帶來對存儲規格以及技術的升級，預計2024年全球存儲市場營收同比增長約40%以上。”
走向復蘇
多名業內人士都對記者分析，不同于此前幾輪行業周期，本輪存儲器市場的扭轉，來自需求端的拉動力要小于上游原廠減產帶來的效應，是通過減少供應來加速行業走向供求平衡。
“我們看到一方面，存儲Fab（半導體制造）廠商如三星、SK海力士、美光持續虧損，對不同產品推出不同程度的減產，導致產能快速下降；另一方面目前終端廠商庫存已經基本回落到健康狀態、存儲Fab廠庫存周轉天數也從最多時候300多天到現在100多天。所以目前基本供需走向平衡后，存儲行業達到一定默契度，進而導致漲價。”前述從業者對記者分析道，目前的漲價是因為Fab廠對例如NAND Flash市場相關產品提出40%-50%的漲價，那么下游也因此要提出漲價動作，甚至還會面臨拿不到貨的情況，因為原廠前期減產在持續控制出貨，因此行業此前還認為存在一定價格博弈，但目前漲價趨勢已經比較明確。
但由于終端市場行情存在一定淡旺季，其價格漲幅并非呈持續穩定上揚態勢。
第三方機構閃存市場分析認為，近期存儲現貨行情維持漲價趨勢，資源漲價的傳導效應在現貨市場起到關鍵作用。鑒于現貨NAND和DDR資源成本持續上漲，疊加倒掛壓力令現貨供應端紛紛調漲產品報價。
不過由于臨近年關，現貨市場成交氛圍清淡，加上需求端已經提前做了基本的“春保”備貨，近期市場有部分詢單動作但成交頗為有限，市場流速季節性放緩，實際需求情況仍要等待節后才能明朗。
不過，存儲器的復蘇行情基本在逐漸開啟。IDC亞太區研究總監郭俊麗對21世紀經濟報道記者分析，在經歷了行業周期的低迷期后，2024年半導體市場將開啟新一輪復蘇。存儲芯片是半導體產業第二細分市場，自消費市場需求疲軟以來，存儲芯片成為最受沖擊的細分領域之一，其復蘇跡象在半導體行業也具有“風向標”意義。
“存儲芯片在過去8個季度的低迷期衰退嚴重，價格連續暴跌。在供應商不斷減產的作用下，直到2023年第四季度才開始有價格上漲。根據預測，運存DRAM方面，頭部存儲芯片廠商三星、美光正規劃將DRAM價格在2024年一季度調漲15%-20%；閃存NAND Flash方面，預計2024年第一季度合約價將上漲15%-20%。到2024年底，存儲的價格將上漲60%左右。同時由于AIGC、物聯網、電動汽車的共同推動，存儲芯片市場將會迎來新一輪增長，從而帶動整個半導體市場的復蘇。”她補充道。
漲價也體現在SK海力士的財報中。公告顯示，第四季度公司DRAM產品部分每Bit出貨環比增加低個位數百分比，ASP（平均售價）環比增長高雙位數百分比（約指16%-19%）；NAND部分每Bit出貨量環比減少低個位數百分比，ASP環比增長超過40%。
目前已經發布財報的上游存儲廠商只有美光和SK海力士，前者還未實現單季盈利，SK海力士四季度只是微利，全年仍在虧損中。2023年SK海力士實現營收32.77萬億韓元，經營虧損7.73萬億韓元，經營利潤率-24%。
（SK海力士全年仍在虧損，圖源：SK海力士財報）
王旭東告訴記者，存儲價格在2024年將基本延續價格季度環比增長趨勢。以8GB/LPDDR4X為例，2024年一季度行業價格環比增長約20%，2024年存儲原廠扭虧為盈將指日可待。
AI加速度
除了減少大盤供應，新興AI系列相關需求正逐漸成為此次存儲行業復蘇中的“加速器”力量。
SK海力士在財報中就指出，隨著人工智能服務器和移動應用的需求增加，推動ASP上升。其主要產品DDR5和HBM3的銷量分別較上年同期增長了4倍多和5倍以上；而在復蘇相對緩慢的NAND領域，公司優先考慮精簡投資和成本。
“SK海力士將繼續大規模生產HBM3E（一種主要用在GPU中的AI內存產品），并正順利開發HBM4，同時向服務器和移動市場提供高性能、DDR5和LPDDR5T等高容量產品，以滿足對高性能DRAM日益增長的需求。”該公司在財報中表示。
（SK海力士旗下兩大存儲產品類型價格漲幅表現，圖源：SK海力士財報）
“根據群智咨詢調查分析，受AI大模型影響，HBM、DDR5、LPDDR5X等DRAM需求較旺盛，預計2024年主流DRAM原廠的平均稼動率將維持70%-80%之間，而NAND市場整體競爭較激烈，稼動率相對低一點。”王旭東對記者分析，從具體應用看，AI服務器端具有更明確的成長性，從OpenAI的ChatGPT，到國內的百度“文心一言”，以及各廠自建AI大模型，都需要用到AI 服務器。當然隨著5G、物聯網等技術普及，AI PC、智能手機等智能終端也將助力存儲器需求增長。
郭俊麗也對記者表示，目前比較確定成長性的終端是AI服務器。“據預測，2024年AI服務器的增速將超過30%。同時，2024年也將是AI PC元年，雖然目前量還比較少，但隨著時間推移，將會帶動更多存儲芯片需求。此外，電動汽車一直保持增長勢頭，也會推動相關存儲芯片增長。”
當然，AI大模型作為一種新鮮事物，其對存儲供應商間的競爭是否會帶來影響也備受關注。
“我們的確很關注AI大模型需求可能會對存儲產業帶來的變化。”前述從業者告訴21世紀經濟報道記者，AI是一個很大的概念，通常來說，運行一個端側大模型、在不壓縮模型的前提下，大約就需要耗費十多個GB，壓縮后可能少一些，但這顯然就會拉動運存DRAM需求增長；同時處理數據量變大，那么閃存NAND相關需求也就會提高。由此，就進一步對存儲產品的性能、功耗提出要求；在云端和邊緣端進行模型計算時，對數據安全也有更高要求——這將是一個更加綜合性的能力考驗。
也有從業者對記者表示，高密度存力需求、高通量的數據傳輸要求、對多種數據格式多協議的支持要求；同時海量數據需要研究新的存儲架構、軟件和算法，實現分層級存儲等，是行業在關注的技術方向。
綜合產業現狀，王旭東對記者表示，展望2024年，包括智能手機、筆記本電腦等消費電子產品需求基本處于 “溫和復蘇階段”, 但復蘇力道相對有限。目前判斷，2024年還是處于控產導致的價格上漲，預計端側AI或者服務器AI對存儲需求的大幅拉升更多體現在2025年及以后。另外，隨著未來DRAM相關技術制程升級，以及LPDDR6、DDR6、HBM4等產品出現，會帶來先進制程存儲均價的上漲。
“2024年第二季度，隨著下游需求的增長，存儲芯片將會創造出更多實際需求，從而實現量價齊升。如果發展順利，今年的第二季度將會是一個明顯的行業回暖轉折點。”郭俊麗對記者分析。
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